На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQB11N40CTM | FQB11N40TM | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <135 Вт | <3.13 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.09 нФVds = 25V | 1.4 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <400 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <10.5 А | <11.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <530 мОмId, Vgs = 5.25A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 5.7A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 35 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |