На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQB10N20CTM | FQB10N20LTM | FQB10N20TM | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <72 Вт | <3.13 Вт | <3.13 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 510 пФVds = 25V | 830 пФVds = 25V | 670 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <9.5 А | <10 А | <10 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <360 мОмId, Vgs = 4.75A, 10V | <360 мОмId, Vgs = 5A, 10V | <360 мОмId, Vgs = 5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 26 нCVgs = 10V | 17 нCVgs = 5V | 18 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||