На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQAF10N80 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-3PF-3 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <113 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.7 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <6.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.05 ОмId, Vgs = 3.35A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ |
Заряд затвору | QG | 71 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |