На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQA9N90C | FQA9N90C_F109 | FQA9N90_F109 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-3P-3 (Straight Leads) | TO-3PN-3 | TO-3PN-3 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <280 Вт | <280 Вт | <240 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.73 нФVds = 25V | 2.73 нФVds = 25V | 2.7 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <900 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <9 А | <9 А | <8.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.4 ОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <1.3 ОмId, Vgs = 4.3A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 58 нCVgs = 10V | 58 нCVgs = 10V | 72 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||