На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQA8N100C | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-3PN-3 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <225 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.22 нФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.45 ОмId, Vgs = 4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ |
Заряд затвору | QG | 70 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |