На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQA7N80C | FQA7N80C_F109 | FQA7N80_F109 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3P-3 (Straight Leads) | TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3PN-3 | TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3PN-3 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <198 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.68 нФVds = 25V | 1.68 нФVds = 25V | 1.85 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <800 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <7 А | <7 А | <7.2 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.9 ОмId, Vgs = 3.5A, 10V | <1.9 ОмId, Vgs = 3.5A, 10V | <1.5 ОмId, Vgs = 3.6A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 52 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||