FQA7N80C

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		FQA7N80C	FQA7N80C_F109	FQA7N80_F109
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3P-3 (Straight Leads)	TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3PN-3	TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3PN-3
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<198 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	1.68 нФVds = 25V	1.68 нФVds = 25V	1.85 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<800 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<7 А	<7 А	<7.2 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<1.9 ОмId, Vgs = 3.5A, 10V	<1.9 ОмId, Vgs = 3.5A, 10V	<1.5 ОмId, Vgs = 3.6A, 10V
Серія MOSFET	Серія	QFET™
Заряд затвору	Q_G	35 нCVgs = 10V	35 нCVgs = 10V	52 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard