На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQA6N90C_F109 | FQA6N90_F109 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-3PN-3 | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <198 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.77 нФVds = 25V | 1.88 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <900 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <6 А | <6.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2.3 ОмId, Vgs = 3A, 10V | <1.9 ОмId, Vgs = 3A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |
Заряд затвору | QG | 40 нCVgs = 10V | 52 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |