На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQA19N20C | FQA19N20L | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-3PN-3 | TO-3P-3 (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <180 Вт | <190 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.08 нФVds = 25V | 2.2 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <21.8 А | <25 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <170 мОмId, Vgs = 10.9A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |
Заряд затвору | QG | 53 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |