На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQA13N50C | FQA13N50CF | FQA13N50CF_F109 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-3PN-3 | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <218 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.055 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <13.5 А | <15 А | <15 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <480 мОмId, Vgs = 6.75A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | FRFET™ | FRFET™ |
Заряд затвору | QG | 56 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||