На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQA11N90C | FQA11N90C_F109 | FQA11N90_F109 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3P-3 (Straight Leads) | TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3PN-3 | TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3P-3 (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <300 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.5 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <900 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <11 А | <11 А | <11.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.1 ОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <1.1 ОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <960 мОмId, Vgs = 5.7A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 80 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V | 94 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||