На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQA10N80C | FQA10N80C_F109 | FQA10N80_F109 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-3PN-3 | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <240 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.8 нФVds = 25V | 2.8 нФVds = 25V | 2.7 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <800 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <10 А | <10 А | <9.8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.1 ОмId, Vgs = 5A, 10V | <1.1 ОмId, Vgs = 5A, 10V | <1.05 ОмId, Vgs = 4.9A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 58 нCVgs = 10V | 58 нCVgs = 10V | 71 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||