FDZ5047N

FDZ5047, FDZ5047N

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDZ5047N
Корпус мікросхеми
Корпус
20-BGA (36 pos)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.8 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
4.993 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<22 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<2.9 мОмId, Vgs = 22A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
73 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate