На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDV301N | FDV301N_D87Z | FDV301N_NB9V005 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <350 мВт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 9.5 пФVds = 10V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <220 мА | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4 ОмId, Vgs = 400mA, 4.5V | ||
Заряд затвору | QG | 700 пCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||