FDU6612

FDU6612, FDU6612A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDU6612A
Корпус мікросхеми
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<1.3 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
660 пФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<9.5 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<20 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
9.4 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate