FDT434

FDT434, FDT434P

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDT434P
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<1.1 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.187 нФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<6 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<50 мОмId, Vgs = 6A, 4.5V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
19 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate