На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDS6680A | FDS6680AS | FDS6680S | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <1 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.62 нФVds = 15V | 1.24 нФVds = 15V | 2.01 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <12.5 А | <11.5 А | <11.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <9.5 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 11.5A, 10V | <11 мОмId, Vgs = 11.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | ||
Заряд затвору | QG | 23 нCVgs = 5V | 30 нCVgs = 10V | 24 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||