На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDS6673AZ | FDS6673BZ | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.48 нФVds = 15V | 4.7 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <14.5 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7.2 мОмId, Vgs = 14.5A, 10V | <7.8 мОмId, Vgs = 14.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | |
Заряд затвору | QG | 118 нCVgs = 10V | 124 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |