На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDS6670A | FDS6670AS | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.22 нФVds = 15V | 1.54 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <13 А | <13.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8 мОмId, Vgs = 13A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 13.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | |
Заряд затвору | QG | 30 нCVgs = 5V | 38 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |