На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDS3170N7 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <3 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.714 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <6.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <26 мОмId, Vgs = 6.7A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® |
Заряд затвору | QG | 77 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |