На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDN359AN | FDN359BN | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 3-SSOT, SuperSOT-3 | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <460 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 480 пФVds = 10V | 650 пФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.7 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <46 мОмId, Vgs = 2.7A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | |
Заряд затвору | QG | 7 нCVgs = 5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |