На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDN302P | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 3-SSOT, SuperSOT-3 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <460 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 882 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <55 мОмId, Vgs = 2.4A, 4.5V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® |
Заряд затвору | QG | 14 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |