На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDMS8670AS | FDMS8670S | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-PQFN, Power56 | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <2.5 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.615 нФVds = 15V | 4 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <23 А | <20 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3 мОмId, Vgs = 23A, 10V | <3.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | |
Заряд затвору | QG | 55 нCVgs = 10V | 73 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |