FDMS3572

FDMS3572

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDMS3572
Корпус мікросхеми
Корпус
8-MLP, Power56
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.49 нФVds = 40V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<80 В
Постійний струм стоку
IDSS
<8.8 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<16.5 мОмId, Vgs = 8.8A, 10V
Серія MOSFET
Серія
UltraFET™
Заряд затвору
QG
40 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard