FDMC6675

FDMC6675, FDMC6675BZ

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDMC6675BZ
Корпус мікросхеми
Корпус
8-MLP, Power33
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.3 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.865 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<9.5 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<14.4 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
65 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate