На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDMC5614P | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-MLP, Power33 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <2.1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.055 нФVds = 30V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 5.7A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® |
Заряд затвору | QG | 20 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |