FDI8442

FDI8442

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDI8442
Корпус мікросхеми
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<254 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
12.2 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<40 В
Постійний струм стоку
IDSS
<80 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<2.9 мОмId, Vgs = 80A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
235 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate