FDG361

FDG361, FDG361N

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDG361N
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<380 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
153 пФVds = 50V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<100 В
Постійний струм стоку
IDSS
<600 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<500 мОмId, Vgs = 600mA, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
5 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard