На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDD8444_F085 | FDD8444L | FDD8444L_F085 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <153 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 6.195 нФVds = 25V | 5.53 нФVds = 25V | 5.53 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <145 А | <50 А | <50 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | ||
Заряд затвору | QG | 116 нCVgs = 10V | 60 нCVgs = 5V | 60 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |