FDD7030

FDD7030, FDD7030BL

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDD7030BL
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<1.3 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.425 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<14 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<9.5 мОмId, Vgs = 14A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
20 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate