FDD6N50FTM

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		FDD6N50FTF	FDD6N50FTM	FDD6N50TF	FDD6N50TM	FDD6N50TM_F085	FDD6N50TM_WS
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<89 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	960 пФVds = 25V	960 пФVds = 25V	940 пФVds = 25V	940 пФVds = 25V	940 пФVds = 25V	940 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<500 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<5.5 А	<5.5 А	<6 А	<6 А	<6 А	<6 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<1.15 ОмId, Vgs = 2.75A, 10V	<1.15 ОмId, Vgs = 2.75A, 10V	<900 мОмId, Vgs = 3A, 10V	<900 мОмId, Vgs = 3A, 10V	<900 мОмId, Vgs = 3A, 10V	<900 мОмId, Vgs = 3A, 10V
Серія MOSFET	Серія	UniFET™
Заряд затвору	Q_G	19.8 нCVgs = 10V	19.8 нCVgs = 10V	16.6 нCVgs = 10V	16.6 нCVgs = 10V	16.6 нCVgs = 10V	16.6 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard