FDD6770

FDD6770, FDD6770A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDD6770A
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<3.7 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.405 нФVds = 13V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<25 В
Постійний струм стоку
IDSS
<24 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<4 мОмId, Vgs = 24A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
47 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate