На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDD6680A | FDD6680AS | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.3 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.425 нФVds = 15V | 1.2 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <14 А | <55 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <9.5 мОмId, Vgs = 14A, 10V | <10.5 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | |
Заряд затвору | QG | 20 нCVgs = 5V | 29 нCVgs = 15V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |