На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDD6670A | FDD6670AL | FDD6670AS | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <1.3 Вт | <1.6 Вт | <1.3 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.755 нФVds = 15V | 3.845 нФVds = 15V | 1.58 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <15 А | <84 А | <76 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <5 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <8 мОмId, Vgs = 13.8A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | ||
Заряд затвору | QG | 22 нCVgs = 5V | 56 нCVgs = 5V | 40 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard | Logic Level Gate |