FDD6630A

FDD6630, FDD6630A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDD6630A
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<1.3 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
462 пФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<21 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<35 мОмId, Vgs = 7.6A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
7 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate