На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDD5N50FTF_WS | FDD5N50FTM_WS | FDD5N50TF_WS | FDD5N50TM_WS | FDD5N50UTF_WS | FDD5N50UTM_WS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <40 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 650 пФVds = 25V | 650 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V | 650 пФVds = 25V | 650 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <3.5 А | <3.5 А | <4 А | <4 А | <3 А | <3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.55 ОмId, Vgs = 1.75A, 10V | <1.55 ОмId, Vgs = 1.75A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 2A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 2A, 10V | <2 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V | <2 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | UltraFRFET™ | UltraFRFET™ |
Заряд затвору | QG | 15 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||