FDD4685

FDD4685, FDD4685_F085

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDD4685_F085
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<3 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.38 нФVds = 20V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<40 В
Постійний струм стоку
IDSS
<8.4 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<27 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
27 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate