FDD107AN06

FDD107AN06, FDD107AN06LA0

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDD107AN06LA0
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<25 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
360 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В
Постійний струм стоку
IDSS
<10.9 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<91 мОмId, Vgs = 10.9A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
5.5 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate