На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDC655AN | FDC655BN | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-SSOT, SuperSOT-6 | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <800 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 830 пФVds = 15V | 570 пФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <6.3 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <27 мОмId, Vgs = 6.3A, 10V | <25 мОмId, Vgs = 6.3A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | |
Заряд затвору | QG | 13 нCVgs = 5V | 15 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |