На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDC2612_F095 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SuperSOT-6 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <800 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 234 пФVds = 100V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <725 мОмId, Vgs = 1.1A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® |
Заряд затвору | QG | 11 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |