FDB8876

FDB8876

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDB8876
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<70 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.7 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<71 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<8.5 мОмId, Vgs = 40A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
45 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate