На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDB8444_F085 | FDB8444TS | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab), D²Pak, TO-263 (4 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <167 Вт | <181 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 8.035 нФVds = 25V | 8.41 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <70 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.5 мОмId, Vgs = 70A, 10V | <5 мОмId, Vgs = 70A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | |
Заряд затвору | QG | 128 нCVgs = 10V | 338 нCVgs = 20V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |