На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDB7030BL | FDB7030L | FDB7030L_L86Z | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <60 Вт | <68 Вт | <68 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.76 нФVds = 15V | 2.44 нФVds = 15V | 2.44 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <60 А | <80 А | <80 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <9 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <7 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <7 мОмId, Vgs = 40A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | ||
Заряд затвору | QG | 24 нCVgs = 5V | 33 нCVgs = 5V | 33 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||