На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDB6030BL | FDB6030L | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <60 Вт | <52 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.16 нФVds = 15V | 1.25 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <40 А | <48 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <18 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <13 мОмId, Vgs = 26A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerTrench® | |
Заряд затвору | QG | 17 нCVgs = 5V | 18 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |