FDB44N25

FDB44N25, FDB44N25TM

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDB44N25TM
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<307 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.87 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<250 В
Постійний струм стоку
IDSS
<44 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<69 мОмId, Vgs = 22A, 10V
Серія MOSFET
Серія
UniFET™
Заряд затвору
QG
61 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard