FDB14AN06

FDB14AN06, FDB14AN06LA0

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFDB14AN06LA0
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<125 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.9 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В
Постійний струм стоку
IDSS
<67 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<11.6 мОмId, Vgs = 67A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerTrench®
Заряд затвору
QG
31 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate