На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDB12N50FTM_WS | FDB12N50TM | FDB12N50UTM_WS | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <165 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.395 нФVds = 25V | 1.315 нФVds = 25V | 1.395 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <11.5 А | <11.5 А | <10 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <700 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <650 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | UniFET™ | UniFET™ | UltraFRFET™ |
Заряд затвору | QG | 30 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||