На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FDA20N50F | FDA20N50_F109 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3PN-3 | TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3P |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <388 Вт | <280 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.39 нФVds = 25V | 3.12 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <22 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <260 мОмId, Vgs = 11A, 10V | <230 мОмId, Vgs = 11A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | UniFET™ | |
Заряд затвору | QG | 65 нCVgs = 10V | 59.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |