На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FCP9N60N | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <88.3 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.24 нФVds = 100V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <9 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <385 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | SuperMOS™ |
Заряд затвору | QG | 29 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |