На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FCP11N60F | FCP11N60N | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <125 Вт | <94 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.49 нФVds = 25V | 1.505 нФVds = 100V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <11 А | <10.8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <380 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <299 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | SuperFET™ | SuperMOS™ |
Заряд затвору | QG | 52 нCVgs = 10V | 35.6 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |